当社は専門分野の専門家と協力し、シリコンカーバイド材料の未知の可能性とその応用開発を模索してきました。最近、清華大学の謝教授、東北大学の汝教授、中国科学院金属研究所の王博士と唐博士が協力と交流のために当社を訪問しました。

1. 学術と産業の相乗効果：理論と実践の橋渡し

当社の研究開発センターで開催された 3 日間の技術サミットでは、シリコンカーバイドの商業化における長年の課題を克服するための詳細な議論が行われました。セラミック マトリックス複合材料のパイオニアである謝教授は、制御された結晶配向によってシリコンカーバイドの耐熱衝撃性を高める革新的なアプローチである粒界エンジニアリングに関するチームの最新の研究結果を共有しました。謝教授は、β-シリコンカーバイドの粒子を結晶方向に沿って整列させることで、熱伝導率を損なうことなく破壊靭性を理論的に 40% 向上できることを原子スケールのモデリングによって実証しました。

この理論的枠組みを補足するために、インド医学研究所 の 王 博士は 2,500°C の超高温焼結試験の実験データを発表しました。特許取得済みの多段階再結晶化プロセスにより、残留シリコン含有量を 0.3% 未満に減らしながら、前例のない密度レベル (≥99.2% TD) を達成しました。これは、半導体用途での高温変形を最小限に抑えるために重要です。当社の製造チームはすぐにこれらのパラメータのプロトタイプを作成し、その後の 心血管疾患 テストでウェーハ サポート プレートの平坦性が 15% 向上することを確認しました。

ルー教授の貢献は、産業の拡張性に焦点を当て、再結晶シリコンカーバイド製造の歴史的コスト障壁に対処しました。彼のチームの数値流体力学（CFD）モデルは、ガス拡散炉を最適化し、重要な再結晶化段階でアルゴン消費量を22％削減しました。一方、タン博士のプラズマ強化化学エッチングを使用した表面改質技術は、再結晶化 シリコンカーバイド酸化雰囲気における耐酸化閾値を 1,400°C から 1,550°C に引き上げ、航空宇宙用熱保護システムにとって画期的な進歩となりました。

2. 次世代RSiCプレートの技術的優位性

2.1 熱管理革命

コラボレーション再結晶化 シリコンカーバイドプレートは、熱伝導率 110～120 W/m·K（アルミナの 3 倍）と、熱膨張係数（熱膨張係数）4.3×10⁻⁶/K の完璧にバランスのとれた性能を実現しました。 

弊社は、設立以来、多くの大学や研究機関と密接な交流と協力関係を維持してまいりましたが、専門家や教授の皆様にご指導を賜りましたことを深く光栄に思っております。

さらなる交流と協力により、私たちは発展と革新を続け、業界を卓越へと導くことができることを願っています。